Teilentladungsmesssysteme

Teilentladungsmessungen sind ein zentrales Werkzeug zur Beurteilung der elektrischen Festigkeit von Isolationssystemen, insbesondere bei Hochspannungs-, Hochfrequenz- und Impulsanwendungen, in denen sehr hohe elektrische Feldstärken auftreten. Teilentladungen entstehen lokal in Inhomogenitäten von Isolationsmaterialien und führen – auch ohne unmittelbaren Durchschlag – zu einer fortschreitenden Alterung und Schädigung der Isolation.

Gerade bei Impulsprüfungen mit steilen Spannungsflanken sowie bei hochfrequenten Spannungen wirken stark zeitlich veränderliche elektrische Felder auf das Isolationssystem ein. Diese hochdynamischen Beanspruchungen können Teilentladungsprozesse auslösen oder verstärken, die unter niederfrequenten oder statischen Bedingungen nicht auftreten würden. Eine zuverlässige Teilentladungsmessung ist daher unerlässlich, um das reale Belastungsprofil moderner Systeme korrekt abzubilden.

In der modernen Leistungselektronik, insbesondere bei Anwendungen mit SiC- und GaN-Halbleitern, gewinnen Teilentladungsmessungen zusätzlich an Bedeutung. Die hohen Schaltfrequenzen und extremen Spannungsanstiegsgeschwindigkeiten (dU/dt) dieser Technologien führen zu lokal stark erhöhten Feldstärken und stellen neue Anforderungen an Isolationskonzepte und Prüfmethoden. Teilentladungsmessungen ermöglichen hier die gezielte Bewertung von Isolationsverhalten, Materialauswahl und Systemdesign.